全球半导体制造商台积电和GlobalFoundries公司将提升ARM处理器的等级，目前他们正在制造采用20纳米工艺制程的下一代手机处理器芯片，预期明年将可面世。
下代ARM处理器主频将达3GHz
当前采用28纳米工艺制程的骁龙800和Tegra 4i处理器主频最快为2.3GHz，它们预期将于2013年末或2014年初出现。然而，下一代处理器采用更为精密的制程工艺后，预期主频还会更高，达到3GHz。
预期20纳米制程工艺产生的主频将高出30%，密度是当前密度的1.9倍，同时能耗也将减少25%，减少的能耗可延长电池续航时间。
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